西门子CPU226CN继电器全国代理商
浔之漫智控技术有限公司长期低价销售数控伺服系统:80
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为了实现通过通讯功能实现对电机的控制,需要对vvvf的参数进行设置,为了实现一个简单的正反转功能,需要设置:
p053:w#16#ff (使能cbp2参数化)
p918:10 (从站地址必须与硬件组态时保持一致)
p695:10ms (报文监控时间)
p554:3100(控制字pzd1,启动/停止)
p443:3002(控制字pzd2,设定主频率)
p734,i001:0022(vvvf输出电流)
p734,i002:0023(vvvf输出功率)
将变频器参数p918的地址一定设为10,与plc硬件配置的地址统一,此时vvvf通讯指示灯闪烁,标识plc与vvvf之间的通讯已经建立起来。
硬件配好后,将pc、变频器、plc用profibus dp通讯线连好,将硬件配置下载到plc中。
4 通讯程序编写
简单直接的方法就是调用sfc14、sfc15两个系统块,sfc14用于读vvvf的数据,sfc15用于写入变频器数据,laddr配置pzd的起始地址为w#16#108(264),ret-val表示程序运行状态正确是否,以不同的代码表示,record表示p#m0.0byte 4是从变频器读上来的数据放到mw0-mw2中,p#m10.0byte 4表示plc mw10/mw12的数据传输到变频器中
CPU的内置超级电容,断电时间不太长时,可以为数据和时钟的保持提供电源缓冲
CPU上可以附加电池卡,与内置电容配合,长期为时钟和数据保持提供电源
设置系统块,在CPU断电时自动保存M区中的14个字节数据
在数据块中定义不需要更改的数据,下载到CPU内可以*保存
用户编程使用相应的特殊寄存器功能,将数据写入EEPROM*保存
CPU内置的EEPROM存储器用于*保存数据,包括与RAM数据区一一对应的全部的V存储区、部分M存储区(MB0 - MB13)、定时器(TONR)。
例如V存储区的VW100(RAM)在EEPROM中有其独占的对应地址,数据在从EERPOM中写到V存储区中时,其目标地址就是VW100。
数据可以用如下方式写入EEPROM数据区:
在编程软件Micro/WIN的Data Block(数据块)中定义V数据区存储单元的初始值,下载数据块时,这些数值也被写入到相应的EEPROM单元中。
用特殊存储器SMB31、SMW32,用编程方法将V存储区的数据写入EEPROM
在System Block(系统块)中设置数据保持功能,可将MB0 - MB13的内容在CPU断电时自动写入到EEPROM中
共有三种方式: 超级电容保持,后备电池保持,EEPROM保持。 其中
1、超级电容只能保存五六天,且超级电容存在于S7-200CPU中;
2、后备电池可保持大约200天左右,需要购买。
3、EEPROM可*保持,但是EEPROM只可对系统设置的MB0-MB13zui多14个字节掉电自动保持,V区需要保持到EEPROM中需要编程实现,若V区有一段初始化数据,则可以通过“数据块"赋值并下载到PLC内
西门子PLC的CPU模块集威功能的参数设定
对于CPU 31*C紧凑型CPU,由于CPU模块本身集成有I/O点,对于这些I/O点,同样需要设定其属性参数。
在硬件安装清单上,右键单击CPU模块集成I/O所在的行,并选中“对象属性( Obj ect Properties...)"选项,可以打开集成I/O的参数设定页面。
通过设定页面不同的标签,可以打开不同的参数设定对象。
在基本参数( General)设定页面,可以在“简介(Short)"栏显示集成I/O的特征参数。在“地址( Address)"设定页面,可以显示与设定集成I/O的起始地址,地址也可以通过选定“系统选择(SVqtem qelection)"诜项,由PLC讲行白动分配(见图14-2.12)。
1.集成输入设定
在“输入(Inputs)"设定页面,有“硬件中断(Hardware Interrupt)"与“输入延时(Input delay)"两个设定区(见图14-2.13)。
在“硬件中断( Hardware Interrupt)"设定区,可以逐点显示与设定集成输入是否作为硬件中断输入。当作为硬件中断输入时,还可以选择中断输入的生效方式,即:上升沿( Rising edge)有效、下降沿( Falling edge)有效。当上升沿(Rising edge)、下降沿(Falling edge)同时选择时,两者同时有效;当都不选择时,集成输入不能作为硬件中断输入。
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