西门子SITOP PSE201U 缓冲模块

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上述三个区域对电弧的作用因电弧的情况不同而不同。对于长度只有几个毫米的电弧。电弧电压主要由阴极区压降和阳极区压降组成，其中的物理过程对电弧起主要作用。这种电弧称为短弧。而对于长度较大的电弧，弧柱则起主要作用，阴极、阳极的过程不起主要作用甚至可以忽略，这种电弧称为长弧。在开关中的电弧一般属于长弧

西门子S7-200系列plc如何设置掉电保持，现有两个数据MW100,MW102需要保存如何设置。
答：把MW100,MW102更该为MB0~MB13里的数据就行了，这个值是固定值。在系统快里的数据保存里设置，设置好了然后下载到PLC就行了。不过这个是利用电容来保持的，大概也就是120个小时左右。
用超级电容供电的，保持时间是：190小时/典型值（40C°时zui少120小时）
应用S7-200时，可以选用以下几种数据保持方法：

CPU的内置超级电容，断电时间不太长时，可以为数据和时钟的保持提供电源缓冲 
CPU上可以附加电池卡，与内置电容配合，长期为时钟和数据保持提供电源 
设置系统块，在CPU断电时自动保存M区中的14个字节数据 
在数据块中定义不需要更改的数据，下载到CPU内可以*保存 
用户编程使用相应的特殊寄存器功能，将数据写入EEPROM*保存 
CPU内置的EEPROM存储器用于*保存数据，包括与RAM数据区一一对应的全部的V存储区、部分M存储区（MB0 - MB13）、定时器（TONR）。

例如V存储区的VW100（RAM）在EEPROM中有其独占的对应地址，数据在从EERPOM中写到V存储区中时，其目标地址就是VW100。
数据可以用如下方式写入EEPROM数据区：

在编程软件Micro/WIN的Data Block（数据块）中定义V数据区存储单元的初始值，下载数据块时，这些数值也被写入到相应的EEPROM单元中。 
用特殊存储器SMB31、SMW32，用编程方法将V存储区的数据写入EEPROM 
在System Block（系统块）中设置数据保持功能，可将MB0 - MB13的内容在CPU断电时自动写入到EEPROM中 

共有三种方式： 超级电容保持，后备电池保持，EEPROM保持。 其中

1、超级电容只能保存五六天，且超级电容存在于S7-200CPU中； 

2、后备电池可保持大约200天左右，需要购买。

3、EEPROM可*保持，但是EEPROM只可对系统设置的MB0-MB13zui多14个字节掉电自动保持，V区需要保持到EEPROM中需要编程实现，若V区有一段初始化数据，则可以通过“数据块"赋值并下载到PLC内
西门子PLC的CPU模块集威功能的参数设定
 对于CPU 31*C紧凑型CPU，由于CPU模块本身集成有I/O点，对于这些I/O点，同样需要设定其属性参数。
    在硬件安装清单上，右键单击CPU模块集成I/O所在的行，并选中“对象属性( Obj ect Properties...)"选项，可以打开集成I/O的参数设定页面。
    通过设定页面不同的标签，可以打开不同的参数设定对象。
    在基本参数( General)设定页面，可以在“简介(Short)"栏显示集成I/O的特征参数。在“地址( Address)"设定页面，可以显示与设定集成I/O的起始地址，地址也可以通过选定“系统选择(SVqtem )"诜项，由PLC讲行白动分配（见图14-2.12）。

1．集成输入设定
    在“输入(Inputs)"设定页面，有“硬件中断(Hardware  Interrupt)"与“输入延时(Input delay)"两个设定区（见图14-2.13）。

    在“硬件中断( Hardware Interrupt)"设定区，可以逐点显示与设定集成输入是否作为硬件中断输入。当作为硬件中断输入时，还可以选择中断输入的生效方式，即：上升沿( Rising edge)有效、下降沿( Falling edge)有效。当上升沿（Rising edge）、下降沿(Falling edge)同时选择时，两者同时有效；当都不选择时，集成输入不能作为硬件中断输入。
    在“输入延时(Input delay)"设定区，可以以4点为单位设定输入延时时间。输入延时时间也称“输入滤波时间"。通过延时的设定，使得输入信号的状态保持必须在设定时间以上，才能生效，从而可以消除信号干扰对PLC执行带来的影响。
    2．集成通信口的设定
    对于具有第2接口的CPU模块（如-2DP等），由于CPU模块带有第2通信接口，因此需要设定其属性参数。
    在硬件安装清单上，右键单击CPU模块第2接口所在的行，并选中“对象属性( Object Properties...)"选项，可以打开第2接口的参数设定页面。